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二、三极管新闻
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三极管8050和8550的参数对比

                          
 8050和8550三极管TO-92封装外形和引脚排列           8050和8550三极管SOT-23封装外形和引脚排列  

      8050和8550三极管在电路应用中经常作为对管来使用,当然很多时候也作为单管应用。8050 为硅材料NPN型三极管;8550 为硅材料PNP型三极管。

8050S 8550S S8050 S8550 参数:
耗散功率0.625W(贴片:0.3W)
集电极电流0.5A
集电极--基极电压40V
集电极--发射极击穿电压25V
特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出
按三极管后缀号分为 B C D档 贴片为 L H档
放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350

C8050 C8550 参数:
耗散功率1W
集电极电流1.5A
集电极--基极电压40V
集电极--发射极击穿电压25V
特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ
放大倍数:按三极管后缀号分为 B C D档
放大倍数B:85-160 C:120-200 D:160-300

8050SS 8550SS 参数:
耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃) 
集电极电流1.5A
集电极--基极电压40V
集电极--发射极击穿电压25V
特征频率fT 最小100MHZ
放大倍数:按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档
放大倍数 B:85-160 C:120-200 D:160-300 D3:300-400
引脚排列有EBC ECB两种

SS8050 SS8550 参数:
耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃) 
集电极电流1.5A
集电极--基极电压40V
集电极--发射极击穿电压25V
特征频率fT 最小100MHZ
放大倍数:按三极管后缀号分为 B C D 共3档
放大倍数 B:85-160 C:120-200 D:160-300
引脚排列多为EBC

UTC的 S8050 S8550 引脚排列有EBC
8050S 8550S 引脚排列有ECB
这种管子很少见
参数:
耗散功率1W
集电极电流0.7A
集电极--基极电压30V
集电极--发射极击穿电压20V
特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出
放大倍数:按三极管后缀号分为C D E档
C:120-200 D:160-300 E:280-400

NEC的8050
最大集电极电流(A):0.5 A; 
直流电增益:10 to 60; 
功耗:625 mW; 
最大集电极-发射极电压(VCEO):25; 
频率:150 MHz .

其它的8050
PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W
MC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz
CS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

值得注意的是,在代换相应的8050或8550三极管时,除了型号匹配,放大倍数也是很重要的参数。

信息来自:钽电容  陶瓷电容  二、三极管  晶体振荡器
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