AVX钽电容的等效串联电阻ESR.
阻力损失发生在一切可行的形式电容器。这些都是由几种不同的机制，包括电阻元件和触点，AVX贴片钽电容粘性势力内介质和生产旁路的缺陷电流路径。为了表达对他们的这些损失的影响视为电容的ESR。ESR的频率依赖性和可利用的关系；ESR=谭ǒ2nfC其中F是赫兹的频率，C是电容法拉。ESR是在25°C和100KHz的测量。ESR是阻抗的因素之一，在高频率（100KHz和以上）就变成了主导因素。从而ESR和阻抗几乎成了相同，阻抗仅小幅走高。
AVX钽电容的阻抗（Z）
这是电流电压的比值，在指定的频率。三个因素促成了钽电容器的阻抗；半导体层的电阻电容价值和电极和引线电感。在高频率导致的电感成为一个限制因素。温度和频率的行为确定这三个因素的阻抗行为阻抗Z。阻抗是在25°C和100KHz。
AVX钽电容的阻抗议和ESR的频率依赖性
ESR和阻抗都随频率的增加。在较低频率值作为额外的贡献分歧阻抗（由于电容器的电抗）变得更加重要。除了1MHz的（和超越电容的谐振点）阻抗再次增加由于电感；电容的。典型ESR和阻抗值是类似的钽，铌氧化物材料，从而在相同的图表都有效钽电容和OxiCap®电容器。
AVX代理谈钽电容的阻抗与温度和关系
和ESR。在100KHz，阻抗和ESR的行为相同，随着温度的升高下逄的典型曲线。
